Toshiba inventó la memoria Flash en la década de 1980 para ofrecer una nueva tecnología de memoria que puede retener datos grabados cuando el dispositivo ya no tiene energía.

Desde entonces, las memorias Flash se han convertido en la tecnología preferida para una gran cantidad de dispositivos industriales y de consumo.

Entre los dispositivos de consumo, las memorias Flash son ampliamente utilizadas en:
Ordenadores portátiles o computadoras personales

Tabletas • Cámaras digitales

Sistemas de posicionamiento global (GPS)

Teléfonos celulares

Dispositivos de música como reproductores de MP3

Instrumentos musicales electrónicos

Televisores

Consolas de videojuegos fijas y portátiles

Las memorias flash también se usan en muchas aplicaciones industriales que requieren alta confiabilidad y retención de datos en caso de falla de energía, tales como:
Sistemas de seguridad / cámaras IP

Sistemas militares

Computadoras integradas

Decodificadores

Productos de red y comunicación

Dispositivos de comunicación inalámbrica

Productos de gestión para la venta al por menor

Dispositivos de punto de venta (por ejemplo, escáneres de mano)

1. Administración de memoria avanzada:
Mejora del rendimiento general, optimización de datos y transferencia de datos a bloques de memoria

Los potentes scripts de corrección de errores proporcionan al usuario sofisticadas capacidades de recuperación de datos en caso de corrupción.

2. Bloques de memoria NAND
SanDisk ha desarrollado la tecnología de memoria NAND MLC más avanzada, lo que significa que los bloques de memoria son de la más alta calidad y confiabilidad.

3. La durabilidad de las tarjetas SD ™:

Semiconductores (Flash)

Los dispositivos de almacenamiento flash o dispositivos de almacenamiento de semiconductores no contienen partes móviles y, por lo tanto, no tienen riesgo de falla mecánica, como los discos duros. Su confiabilidad de datos en general les permite dominar el mercado centrado en la conveniencia para productos de memoria portátiles, con el beneficio de una operación silenciosa consistente de decibeles cero.

Dimensiones físicas reducidas (o factor de forma): los dispositivos de almacenamiento flash están diseñados para ser transportados fácilmente. La comodidad es un criterio importante, tanto para aplicaciones profesionales como para el consumo masivo.

Alta confiabilidad de los datos: las memorias flash son extremadamente confiables y muchos tipos de dispositivos Flash incluyen la verificación de la integridad de los datos del código de corrección de errores (ECC) y la distribución del nivel de desgaste.

Retención de datos Flash

Tecnología de distribución de desgaste: los controladores integrados en los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston utilizan una tecnología de distribución del desgaste que distribuye uniformemente la cantidad de ciclos de escritura / borrado en todo el espacio de la memoria Flash. Este método extiende la vida útil de las tarjetas Flash (para obtener más información, consulte la sección Resistencia de flash, a continuación).

Resistencia de la celda flash: las celdas de memoria Flash no volátil se caracterizan por un número limitado de ciclos de escritura / borrado. Esto significa que para cada escritura y borrado de datos, la cantidad de ciclos de escritura / borrado del dispositivo de almacenamiento flash disminuye hasta que la memoria Flash ya no se puede usar.

A partir de la fecha de publicación de este documento, los procesos de fabricación actuales permiten hasta 3000 ciclos de escritura por sector físico (19 nm y 20 nm) en productos de memoria Flash de celdas multinivel (MLC). Los productos de memoria flash de celda de nivel único (SLC) admiten hasta 30,000 ciclos de escritura por sector físico. Los productos de celdas de triple nivel (TLC) ofrecen hasta 500 ciclos de escritura por sector físico. Los procesos de fabricación de las matrices de memoria flash desempeñan un papel decisivo en la resistencia de las células, que disminuye con la miniaturización de las matrices.

Tecnología de memoria flash: la tecnología Flash Multi-Level Cell (MLC) organiza cada celda en múltiples niveles para almacenar más bits con la misma cantidad de transistores. La tecnología NAND MLC Flash usa cuatro estados posibles por celda. Cada celda de nivel único (SLC) solo puede tener dos estados funcionales. En celdas de celda de triple nivel (TLC), los bits se pueden almacenar en ocho estados diferentes. Los procesos de fabricación de las matrices de memoria flash desempeñan un papel decisivo en la resistencia de las células, que disminuye con la miniaturización de las matrices.

Alta capacidad

Los dispositivos flash pueden ofrecer capacidades de almacenamiento muy altas en un formato muy pequeño. Esta flexibilidad lo convierte en una solución ideal para aplicaciones de consumo, como almacenamiento de video, archivos de audio MP3, donde cualquier otra aplicación donde la portabilidad y la conveniencia sean criterios importantes Bajo consumo de energía: a diferencia de las DRAM estándar que deben permanecer encendidas para retener los datos grabados, las memorias flash no son volátiles y no requieren energía para retener los datos que contienen. El bajo consumo de energía de las memorias Flash extiende la autonomía de los dispositivos de almacenamiento.

Compatibilidad con Plug & Play: la gama de memorias Flash admite Plug & Play. Con la tecnología Plug & Play y los sistemas operativos compatibles, se puede conectar un dispositivo de almacenamiento Flash a una computadora o un reproductor multimedia Flash que lo reconocerá y leerá de inmediato.

Compatibilidad intercambiable en caliente: intercambiable en caliente conecta y desconecta dispositivos Flash a una computadora o unidad compatible sin apagar y volver a encender el sistema host. Esta característica mejora la portabilidad y la conveniencia de los dispositivos de almacenamiento Flash para transferir datos, imágenes y música entre dos computadoras o dispositivos.